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SiC碳化硅是一种重要的半导体材料，具有优异的热学性能和电学性能，被广泛应用于功率电子器件、光电子器件等领域。高纯度晶圆是SiC碳化硅制备过程中的关键材料，4H-半导体SiC晶圆直径150毫米单晶是目前市场上常见的规格。SiC单晶是SiC晶体锭高纯度SiC晶圆定制的重要原料，原切SiC晶圆能够提供更高的晶体质量。高纯度SiC单晶可用于制备硅碳化物基板，从而应用于光学器件和功率器件的制造。SiC晶圆的制备和应用技术在不断发展，为半导体产业的发展提供了重要支持。

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